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反應耦合等離子刻蝕

通過反應耦合等離子刻蝕(ICP)的方法,刻蝕基底材料。最大支持6寸片。

刻蝕Si的設備型號為Oxford PlasmaPro 100 Cobra。

刻蝕InP, GaN, GaAs的設備型號為Samco RIE-200iP。

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服務介紹:

通過反應耦合等離子刻蝕(ICP)的方法,刻蝕基底材料。最大支持6寸片。

刻蝕Si的設備型號為Oxford PlasmaPro 100 Cobra。

刻蝕InP, GaN, GaAs的設備型號為Samco RIE-200iP。

服務內容:

1. 反應耦合等離子刻蝕基底

2. 光學檢測


服務說明:

客戶提供:基片。提供掩模圖形信息(光刻膠/介質/金屬等)。特殊材料刻蝕,需提供刻蝕工藝參數。

實驗周期:1-2個工作日。

收費標準:××元/片次;特殊片另行協商。


成果展示:

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