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化學氣相沉積薄膜

通過化學氣相沉積(PECVD)的方法,在基底沉積介質薄膜。主要為SiO和SiN薄膜。

設備型號為Oxford PlasmaPro 100 PECVD,最大支持6寸片。沉積溫度為300度。

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服務介紹:

通過化學氣相沉積(PECVD)的方法,在基底沉積介質薄膜。主要為SiO和SiN薄膜。

設備型號為Oxford PlasmaPro 100 PECVD,最大支持6寸片。沉積溫度為300度。

服務內容:

1. 基片清洗(視情況而定)

2. PECVD沉積薄膜

3. 光學檢測


服務說明:

客戶提供:基片。確認基片承受的溫度范圍。

實驗周期:1-2個工作日。

收費標準:××元/片次;特殊片另行協商。


成果展示:

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