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圖形刻蝕-聚焦離子束(FIB)

聚焦離子束系統 ZEISS Crossbeam 540

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Crossbeam 540聚焦離子束(FIB)系統采用液態鎵離子源。離子源壽命為3000 μAh。加速電壓30kV下分辨率可達3nm。同時配有五支氣體注入系統,及透射電鏡樣品制備用機械手。該系統可適用于橫截面和斷層掃描,3D分析,TEM樣品制備及納米圖形加工。



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公司名稱:華慧芯科技(天津)有限公司

平臺簡介: 

    清華大學天津電子信息研究院高端光電子芯片創新中心,占地約800平方米,其中百級黃光區100平方米。中心擁有完整的光電子器件研發設備,支持III-V族半導體、硅基半導體、二維材料、柔性材料、金屬材料等光電子芯片的研發,并具有多個納米尺度的特色工藝模塊和先進表征模塊;配套的測試實驗室提供國際領先的芯片測試分析技術。

    中心在支持天津電子院項目孵化的同時,面向社會開放,提供納米尺度下光電子芯片的制備工藝的解決方案,以提升我國光電子芯片的研發水平和產業化進程。

地址:天津

服務保障:已審核 已通過企業認證


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